12月9日消息，據(jù)媒體報道，三星已成功開發(fā)出突破性的400層堆疊NAND Flash閃存技術(shù)，并已開始將該技術(shù)轉(zhuǎn)移到大規(guī)模生產(chǎn)線。
這一進展有望超越前不久已宣布量產(chǎn)321層NAND Flash的SK海力士。
三星計劃在2025年國際固態(tài)電路會議（ISSCC）上詳細介紹其1Tb容量400層堆疊TLC NAND Flash閃存，并預(yù)計于2025年下半年開始量產(chǎn)。
市場專家預(yù)測，如果進程加快，量產(chǎn)可能會在2025年第二季度末開始。
除了400層NAND Flash閃存，三星還計劃增加其先進內(nèi)存產(chǎn)品線的產(chǎn)量，包括在平澤園區(qū)安裝新第9代（286層堆疊）NAND Flash閃存生產(chǎn)設(shè)施，月產(chǎn)能為30000至40000片晶圓。
以及在中國西安工廠將128層堆疊（V6）NAND Flash閃存生產(chǎn)線轉(zhuǎn)換為236層堆疊（V8）NAND Flash閃存產(chǎn)品制程。
目前，三星在全球NAND Flash閃存市場市占率為36.9%，面對SK海力士的競爭，三星的這一突破顯得尤為重要。
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