9月12日消息，三星電子官方宣布，已經(jīng)開始批量生產第九代QLC V-NAND閃存，單顆容量1Tb(128GB)。
就在今年4月，三星開始量產第九代TLC V-NAND閃存，二者只間隔4個月。
三星第九代QLC NAND閃存加入了多項創(chuàng)新：
一是通道孔蝕刻(Channel Hole Etching)。
基于雙堆棧架構，實現(xiàn)了當前業(yè)內高的單元堆疊層數(shù)(具體未公開)。同時優(yōu)化存儲單元面積、外圍電路，位密度比上代提升約86％。
二是預設模具(Designed Mold)。
可以調整、控制存儲單元的字線(Word Line)間距，確保同一單元層內、單元層之間的存儲單元的特性保持一致，達到佳效果，數(shù)據(jù)保持性能提升約20％，增強了可靠性。
三是預測程序(Predictive Program)。
能夠預測、控制存儲單元的狀態(tài)變化，盡可能減少不必要的操作，寫入性能翻倍，數(shù)據(jù)輸入/輸出速度提升60％。
四是低功耗設計(Low-Power Design)。
降低了驅動NAND存儲單元所需的電壓，只感測必要的位線(Bit Line)，數(shù)據(jù)讀取功耗約分別下降了約30％、50％。
三星第九代QLC V-NAND閃存將首先用于消費電子產品，然后逐步在UFS、PC、服務器領域鋪開。
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