5月22日消息，近日，JEDEC對外表示，LPDDR6內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)即將敲定，相比上代來說，速度提升會(huì)很快。
關(guān)于對LPDDR6內(nèi)存的預(yù)期，Synopsys將14.4 Gbps的數(shù)據(jù)傳輸速率作為該標(biāo)準(zhǔn)的高定義，入門速率為10.667Gbps。
LPDDR6還將使用由兩個(gè)12位子通道組成的24位寬通道，入門帶寬可達(dá)每秒28GB，使用快的14.4 Gbps模式時(shí)，帶寬可達(dá)每秒38.4GB。
內(nèi)存速度上，DDR6內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)將采用8.8 Gbps的導(dǎo)入速度，高可達(dá)17.6Gbps。
另一個(gè)值得關(guān)注的話題是，CAMM2內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)，美光、三星、SK hynix 甚至中國制造商龍芯中科都采用了這一標(biāo)準(zhǔn)。
CAMM2是下一代標(biāo)準(zhǔn)，它解決了傳統(tǒng)SO-DIMM和DIMM內(nèi)存的幾個(gè)問題，如可升級性、可維修性、主板復(fù)雜性和功耗（拒絕焊死內(nèi)存等不友好行為）。
它得到了內(nèi)存供應(yīng)商的廣泛支持。目前，CAMM2基于DDR5、LPDDR5和LPDDR5X標(biāo)準(zhǔn)，容量高達(dá)256GB。
JEDEC還談到了下一代LPDDR6 CAMM2，它將進(jìn)一步完善CAMM2模塊，提供與我們剛才提到的同樣快的速度，而且還消除了現(xiàn)有設(shè)計(jì)中對螺絲的需求。
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